고속 이온 어씨스트 성막장치 SID - 마부치코리아

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고속 이온 어씨스트 성막장치 SID

새로운 이온빔 씨스템(NIS-1)의 채용으로, 60μA/cm2 초과하는 이온전류 밀도를 얻을수 있다.
플라즈마 생성 프로세스 공간과 성막 프로세스 공간이 분리되어있기 때문에 성막시에 높은 안정성과 재현성을 얻을수 있다.
코팅지그 연소 브라스트 장치. 투사재에 의해, 코팅지그의 연소를 하는 장치이다.
마그네슘 부품, 알루미늄 제품, 아연제품, 수지제품의 바리제거, 주름 제거, 표면마무리등에 최적합 하다.

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